• 行业新闻
  • 技术创新
​地面效率39.5%!美研发出迄今最高效率太阳能电池
信息来源:太阳能发电网 发布日期:2022-05-23 阅读次数:419
【文字 大 中 小】【关闭窗口】保护视力色:

    国国家可再生能源实验室(NREL)的研究人员开发了一种太阳能电池,其在单太阳全球照明下的效率再创新高,达39.5%,这是在相同条件下测量的任何类型的最高效率太阳能电池。


    这一成就超越了美国国家可再生能源实验室研究人员在2020年创造的记录,即当时使用III-V材料开发了效率为39.2%的六结太阳能电池。

    美国国家可再生能源实验室高效晶体光伏小组的资深科学家迈尔·施泰纳(Myle Steiner)表示,这种新电池可能有多种用途,包括高度区域限制的应用或低辐射空间应用。

    施泰纳(Steiner)、莱恩·弗兰斯(Ryan France)、约翰·盖茨(John Geisz)等多人对美国国家可再生能源实验室的研究做出了贡献。

    《焦耳》杂志5月刊上一篇名为“厚量子阱超晶格使三结太阳能电池具有39.5%的地面效率和34.2%的空间效率 ”的论文,概述了本次太阳能电池开发的细节。

    最近几款能效最高的太阳能电池,都是基于美国国家可再生能源实验室发明的倒置变质多结(IMM)架构。这种新增强的三结IMM太阳能电池现在已被添加到最佳研究电池效率图表中。该图表显示了实验性太阳能电池的成功,包括日本夏普公司先前于2013年创下的三结IMM记录,即37.9%。

    效率的提高源于对“量子阱”太阳能电池的研究,该电池利用许多非常薄的层来改变太阳能电池的特性。科学家们开发了一种具有前所未有的性能的量子阱太阳能电池,并将其应用于一种具有三个不同带隙的结的设备中,其中每个结都经过调整,以捕获和利用太阳光谱的不同部分。

    III-V材料因其在元素周期表上的位置而得名,跨越了广泛的能量带隙,使其能够瞄准太阳光谱的不同部分。顶部结由磷化镓(GaInP)制成,中间是带有量子阱的砷化镓(GaAs),底部是晶格错位的砷化镓(GaInAs)。经过几十年的研究,每种材料都得到了高度优化。

    资深科学家兼电池设计师弗朗西(France)称:“关键因素是,虽然砷化镓是一种优秀的材料,通常用于III-V多结电池,但它对于三结电池来说,并不具有相当正确的带隙,这意味着三个电池之间的光电流平衡并不理想。在这里,我们通过使用量子阱修改了带隙,同时保持了优异的材料质量,这使得该装置和潜在的其他应用成为可能。”

    科学家们在中间层使用量子阱来扩展砷化镓电池的带隙,并增加电池可以吸收的光量。重要的是,他们开发了光学厚度的量子井设备,没有重大电压损失。

    他们还学会了如何在生长过程中对GaInP顶层电池进行退火以提高其性能,以及如何将晶格错位的砷化镓(GaInAs)中的线状位错密度降到最低,这些都将在另外的出版物中讨论。总的来说,这三种材料为新型电池的设计提供了参考。

    III-V电池以其高效率而著称,但其制造工艺历来都很昂贵。到目前为止,III-V电池已被用于为太空卫星、无人驾驶飞行器和其他利基应用供电。

    美国国家可再生能源实验室的研究人员一直致力于大幅降低III-V电池的制造成本,并提供替代电池设计,这将使这些电池在各种新应用中经济实惠。

    新的III-V电池在空间应用方面的效率也得到了测试,特别是在通信卫星方面,这类卫星由太阳能电池供电,高电池效率至关重要,在寿命开始测量时,电池效率为34.2%。目前的电池设计适用于低辐射环境,通过进一步开发电池结构,可以实现更高的辐射应用。