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第三代半导体大突破!意法半导体造出首批8英寸SiC
信息来源:半导体在线 发布日期:2021-07-28 阅读次数:368
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    7月27日,意法半导体中国消息显示,意法半导体(ST)宣布,ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功,巩固其在这一开创性技术领域的领导地位,提高了电力电子芯片的轻量化和能效,降低客户获取产品的总拥有成本。

    意法半导体的首批200mm SiC晶圆片影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。低缺陷率的取得离不开意法半导体碳化硅公司(前身是Norstel公司,2019年被ST收购)在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。SiC晶圆升级到200mm还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。此外,意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。

    意法半导体先进的量产碳化硅产品STPOWER SiC目前在卡塔尼亚(意大利)和宏茂桥(新加坡)两家150mm晶圆厂完成前工序制造,后工序制造在深圳(中国)和布斯库拉(摩洛哥)的两家封测厂进行,这个阶段性成功是意法半导体布局更先进的、高成本效益的200mm SiC量产计划的组成部分。SiC晶圆升级到200mm属于公司正在执行的SiC衬底建新厂和内部采购SiC衬底占比超40%的生产计划。

    意法半导体汽车和分立器件产品部总裁Marco Monti表示:汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程,SiC晶圆升级到200mm将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。

    此前,福布斯报道称,雷诺集团与意法半导体公司达成战略合作伙伴关系,以确保雷诺从2026年开始为旗下的纯电动和混合动力汽车提供足够的功率半导体。