为进一步推动光伏产业结构调整和转型升级，持续加强行业管理，提高行业发展水平，工业和信息化部对《光伏制 造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》进行了修订，形成《光伏制造行业规范条件（2021年本）》 和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法（2021年本）》。自2021年3月15日起实施。 

新版的光伏制造行业规范条件中要求，现有光伏制造企业及项目产品应满足： 

1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）或《流化床法颗粒硅》（GB/T35307）特级品的要求。 

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于2μs，碳、氧含量分别小于10ppma和12ppma；P型单晶硅片少子寿命不低于50μs，N型单晶硅片少子寿命不低于500μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。 

3.多晶硅电池和单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于19%和22.5%。 

4.多晶硅组件和单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于17%和19.6%。 

5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于12%、15%、14%、14%。 

6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96.5%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98% （单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和97.3%），微型逆变器相关指标分别不低于95%和95.5%。 

新建和改扩建企业及项目产品应满足： 

1.多晶硅满足《电子级多晶硅》（GB/T12963）3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB/T35307）特级品的要求。 

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于2.5μs，碳、氧含量分别小于6ppma和8ppma；P型单晶硅片少子寿命不 低于80μs，N型单晶硅片少子寿命不低于700μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。 

3.多晶硅电池和单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于20.5%和23%。 

4.多晶硅组件和单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于18.4%和20%。 

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于13%、16%、15%、15%。 

晶硅组件衰减率首年不高于2.5%，后续每年不高于0.6%，25年内不高于17%；薄膜组件衰减率首年不高于5%， 后续每年不高于0.4%，25年内不高于15%。

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