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清华大学为二维电子器件集成提供新思路
信息来源:集微网 发布日期:2019-04-19 阅读次数:417
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据悉,该研究是基于二维1T’/2HMoTe2异相结构的图案化合成,实现了通过一步化学反应制备全二维器件。沟道与电极间以共价键相连,能够降低势垒、有效注入电子,避免后加工过程对材料的损伤及界面污染问题。并利用此策略制备了一系列高性能的原型器件,如场效应晶体管、反相器、实现频率调制的射频晶体管阵列、超短场效应晶体管、互连的多层器件和柔性器件等,展现了材料合成与器件集成一体化新策略的重要应用前景。
随着大规模IC技术的持续发展,硅器件的尺寸逐渐逼近物理极限,探索新器件技术、寻找硅材料的替代者进而延续和拓展摩尔定律成为科学界和工业界共同关注的热点问题。