作为主流的新型电力电子器件之一，IGBT在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备，以及工业领域(高压大电流场合的交直流电转换和变频控制)等应用极广，是上述应用中的核心技术。据相关数据显示，中国IGBT市场一直被国际巨头垄断，九成的份额掌握在英飞凌、三菱等海外巨头手中。

IGBT也叫绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小；IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

一、IGBT在变频电源中的应用

变频电源是将市电中的交流电经过AC-DC-AC变换， 输出为纯净的正弦波，输出频率和电压 一定范围内可调。它有别于用于电机调速用的变频调速控制器，也有别于普通交流稳压电源。理想的交流电源的特点是频率稳定、电压稳定、内阻等于零、电压波形为纯正弦波。变频电源十分接近于理想交流电源，先进发达国家越来越多地将变频电源用作标准供电电源，以便为用电器提供最优良的供电环境，便于客观考核用电器的技术性能。IGBT是变频电源内部最核心的重要元器件之一，在内部起着重要的作用。

IGBT在变频电源中所发挥的作用是将直流变为交流供电机使用， 与其它电力电子器件相比的话，IGBT具有非常高的可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，开发高电压、大电流、频率高的高压IGBT并将其应用到变频电源中以获得不同频率的电流。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT导通。加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。

硅料价格
　　
　　本周硅料价格依旧维持，跨年假期刚结束，价格没有太大变化，目前看来一月有农历年前备货的需求支撑，加上硅片端开工也维持在上月水平，单晶硅片甚至开始有放量需求，整体供需还是稳定。
　　
　　一月韩国硅料厂仍多在检修状态，国内新增产能放量也在逐步增加阶段，因此整体来说，硅料需求在一月尚属平衡，价格订价预估会落在前期的低价左右。多晶用料部分目前也尚未看到明显跌价，一月菜花价格应会保持在每公斤70元人民币以上。
　　
　　硅片价格
　　
　　本周硅片价格全线稳定，维持2018年末水平。多晶硅片部分，随着下游电池片价格稳定，多晶硅片价格也没有持续性的支撑向上，仍维持在每片2.05-2.1元人民币之间。
　　
　　单晶硅片在本月的需求还是强劲，两大单晶厂持续增量，并且一月市场对于单晶电池片的需求仍然旺盛，价格也持平。农历年前的备货有效支撑一月的需求，但二月需求是否被移前造成二月需求跌落，将是近期比较重要的转折时间点。
　　
　　电池片价格
　　
　　由于甫结束元旦假期，本周电池片价格没有太大变动，仅海外双面电池片价格小幅上涨。
　　
　　无论是国内或海外，一月SE-PERC电池片需求依然强劲，加上农历年前的备货潮，供应仍略显紧张，转换效率21.5%及以上的单面电池片价格高档维稳在每瓦1.28-1.31元人民币、海外0.162-0.165元美金。
　　
　　多晶电池片价格也持稳在每瓦0.86-0.9元人民币、0.108-0.115元美金。
　　
　　在目前的组件价格水平下，电池片价格的不断上涨让组件厂备感压力，故预期单晶PERC电池片、多晶电池片涨幅皆已达高点。
　　
　　组件价格
　　
　　组件部分，一季度PERC组件订单能见度佳，国内、海外皆有订单出现小幅涨价情形，但整体而言，310WPERC组件价格持续稳定在每瓦2.2-2.3元人民币、0.28-0.30元美金的价格区间。另外，受到部分一线大厂进一步推广大硅片或半片组件，使得美国、澳大利亚等高效市场需求正在往60pcs315W/72pcs380-390W迈进。
　　
　　多晶组件方面，从近期招标价格来看，垂直整合大厂因一季度接单情形较佳，报价仍能维持在较高的水平，但仍有许多组件厂的多晶组件订单尚未接满，使得一季度的常规多晶组件成交价仍将持续向下。
　　
　　整体而言，组件订单需求直至农历年前仍保持畅旺，但农历年后将呈现淡季不淡、或是需求情况反转，仍须静待后续国内指标出台情况而定。
　　
　　光伏玻璃价格
　　
　　光伏玻璃于2018四季度受到成本提升、加上市场需求转佳，价格明显上涨，但至上月底，市场对于一季度仍弥漫观望氛围，价格涨幅已趋缓，近期价格持稳在每平方米23-24元人民币。