日本《经济学人》周刊3月27日刊登了伊藤忠经济研究所高级研究员河合良介的一篇分析文章。文章称，实际上，一年前就有观点认为，“2016年印度可能已经超越英国”。20

           3月29日，中国商务部新闻发布厅人头攒动，媒体签到单长达三页，中美贸易纠纷升级以来该部的首场发布会备受关注。

数个小时前，大洋彼岸的美国贸易代表莱特希泽称，美国对华加征关税产品的清单公示天数将从30天延长到60天。莱特希泽称，中美双方有希望通过谈判来避免关税冲突。

在此次商务部新闻发布会上，商务部新闻发言人高峰表示，中方谈判磋商的大门始终是敞开的。但他强调，谈判是有原则的，“首先必须放弃单边主义、贸易保护主义的做法。谈判必须是平等的，中方不会接受在单方胁迫下展开任何的磋商。谈判也应该是建设性的、平衡的，需要双方共同努力。”           2018年年初以来，虽然金融市场波动有所加剧、全球贸易战和地缘政治风险等威胁上升，但全球经济更广泛地加快复苏的基本面并未改变。展望未来，受美国减税、大宗商品价格回升、全球货币政策环境总体宽松等因素的推动，全球经济增长的力度将超过前期的预测。全球经济主要的下行风险则来自中美贸易之争加剧、通胀过快上升促使美联储过快升息、地缘政治风险卷土重来等。中国银行国际金融研究所3月281947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。
　　
　　1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
　　
　　1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
　　
　　1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
　　
　　1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
　　
　　1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
　　
　　1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
　　
　　1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
　　
　　1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
　　
　　1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
　　
　　1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
　　
　　1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。
　　
　　1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
　　
国际货币基金组织（IMF）17日至18日发布数份重要经济报告，预计今明两年世界经济增速都将达到3.9%，但警告高债务、货币政策收紧、风险资产估值依然居高等风险将长期影响经济增长，而贸易冲突更可能令全球增长脱轨。

全球增长预期不变但面临风险

IMF最新《世界经济展望》报告显示，2017年全球增速达3.8%，创下2011年以来最快增速。报告预计，今明两年全球增速都将进一步提升至3.9%，与今年1月的预测值相同。

在报告中，IMF预计，2018年发达经济体增速为2.5%，其中美国经济增速为2.9%，欧元区经济增速为2.4%，日本经济增速为1.2%；新兴市场和发展中经济体2018年增速预计为4.9%，其中，中国经济增速为6.6%。

去年全球经济增长表现出“基础广泛”的特点：全球三分之二的经济体在2017年经济增速高于2016年，这些国家的经济产出占全球总产出的比例达四分之三。

IMF分析显示，去年全球经济增速加快的原因主要是投资和贸易的快速增长。IMF称，在连续两年疲软之后，全球贸易在2017年实际增长率高达4.9%，远高于2016年的2.3%；并且新兴市场和发展中国家的贸易增速更快，2017年增速达6.4%，高于2016年的2.2%。

但IMF也注意到，全球经济增长势头可能将受到日渐激烈的贸易冲突影响。

“世界经济持续展现出广泛动能。但在这一积极背景下，同样广泛的贸易冲突前景却呈现出不和谐图景。”IMF首席经济学家莫里斯·奥布斯特费尔德警告说，“贸易限制措施和反制措施可能削弱信心，并提前让全球增长脱轨。”

IMF最新展望报告说：“加剧的贸易紧张局势，以及对跨境贸易强行施加广泛障碍，将不仅直接损害经济活动，还将削弱信心。”

在今年即将召开的IMF春季会议上，贸易问题预计将是主导话题。

保护行为无助于解决贸易失衡

对于发源于美国的贸易保护行为渐多，IMF称这些行为无法改善美国贸易逆差局面，呼吁各方通过多边行动化解贸易冲突。

奥布斯特费尔德表示，近期面临的贸易紧张局势由美国挑起，但对减少美国贸易逆差却收效甚微，因为美国经常账户出现逆差的根本原因是美国的总支出持续大于总收入。

并且，美国近期出台的减税和加大财政开支举措反而会扩大美国经常账户逆差。和2017年10月的上一份报告相比，如今IMF预计，2019年美国经常账户逆差将增加1500亿美元。

奥布斯特费尔德分析近期贸易保护主义成因时谈到，发达经济体长期以来就业和工资呈现出两极分化的趋势，加上中位水平工资的增长长期欠佳，公众对经济一体化好处的乐观态度受到侵蚀。许多家庭没有或几乎没有从经济增长中获益。

“这些趋势在更大程度上是由技术变革而非贸易引起的，即使是在贸易抵制情绪不强的国家，公众也普遍怀疑政策制定者促进强劲和包容性增长的能力。”

要解决经常账户失衡问题，奥布斯特费尔德认为，应当通过多边行动，顺差国和逆差国都需要通过宏观经济政策来让他们的支出和收入相符。他强调解决不对等贸易行为，也有赖于可靠和公平的争端解决机制，而这一机制植根于以规则为基础的多边框架。

IMF称，2016年的研究表明，关税和其他壁垒使所有国家的进口物价上涨了10%，五年后将使全球经济产出和消费降低大约1.75%，长期将拉低近2%。在这种情况下，五年后全球贸易将萎缩15%，长期将下降16%。

多重风险给经济前景蒙上阴影

IMF18日警告说，虽然相对宽松的金融条件在短期内有助于支持全球经济增长，但常年低利率政策所累积的金融脆弱性可能会使前方的道路崎岖不平，并使增长面临风险。

IMF当天发布半年度《全球金融稳定报告》说，和去年10月上一份报告发布时相比，全球金融稳定面临的短期风险略有增加，同时中期风险则继续保持高位。报告警告说：“由于金融条件宽松，中期经济增长的风险仍远高于历史标准。”

IMF货币和资本市场部门主管托比亚斯·阿德里安当天说，最新报告讨论了全球所面临的三大金融脆弱性问题：风险资产估值依然居高、新兴市场和低收入国家可能受到全球金融条件突然收紧冲击、非美国银行存在结构性美元流动性错配。

关于近年来市场热炒的加密资产，最新报告认为，加密资产背后的技术有可能提高金融市场基础设施的效率，但同时受到欺诈、安全漏洞和运营失败的影响，而且牵涉非法活动。

IMF认为，目前加密资产似乎并未造成金融稳定风险，但是如果它们的使用变得更为广泛却没有适当的保护措施，那么它们就可能造成这种风险。

对于其他威胁全球经济的风险，奥布斯特费尔德介绍称，全球经济长期前景较为疲弱。发达经济体面临人口老龄化、劳动力参与率下降和生产率增长缓慢等问题，可能无法回到全球金融危机之前的人均增长率水平。新兴和发展中经济体的情况各不相同，其中，一些非大宗商品出口国有可能实现与危机前可比的长期增长率，但许多大宗商品出口国不会这么幸运，尽管大宗商品价格前景有所改善。这些国家需要促进经济多元化，以提高未来的增长和增强抗冲击能力。

而其他非经济风险，例如地缘政治紧张局势、气候冲击等也构成全球经济面临的下行风险。并且IMF警告说，这些风险之间存在互相关联，例如贸易战风险可能会增加地缘政治紧张局势。