5月5日，《Nature Communications（自然通讯）》公布了一项新发明：Minnesota大学的一支研究队伍，发明了一种新型纳米级薄膜材料。在同类材料中，它的导电率最高。我们有望用这种新材料制作体积更小、运行更快、性能更高的电子产品和太阳能电池。

研究人员们说，这种具有高导电性的独特新材料，能用来制作电量更大，性能更强的电子产品。 但同时它还有宽带隙，也就是说光线可以轻易透过材料，使其在光学上透明。 而通常，宽带隙材料要么导电性低，要么透明度差。

该项目的首席研究员，Minnesota大学化学工程与材料科学教授，Bharat Jalan说：“这种有高导电性和宽带隙的材料，用来做光学导电薄膜真是再理想不过了。这种导电膜可以广泛应用在需要透光的各种电子设备上（包括高功率电子器件、电子显示屏、触摸屏和太阳能电池）”

目前，电子设备上的透光导体，几乎都要用到化学元素“铟”。 而近几年，铟的价格暴涨，现有显示技术下的生产成本，因此增加了不少。 业界为此一直在做巨大的努力，希望找到一种性能不比铟基透光导体差的廉价替代品。

在该项目中，研究人员发明了一个解决方法。他们用一种新的合成方法，发明了一种新的透光导电薄膜：用BaSnO3（BaSnO3，称为锡酸钡）来做薄膜层，但是用锡的化学前体作为元素锡的来源。因为锡的化学前体具有独特的自由基，能增强化学反应，大大改善了金属氧化物的合成过程。最重要的是，钡和锡来源丰富，而且都比铟便宜得多。

这篇论文的第一作者，Minnesota大学化学工程与材料科学的研究生，Abhinav Prakash说：“我们是第一次用锡的化学前体来试验，而这种非常规方法的工作效果却好到让我们吃惊。虽然这风险大，但对我们却是一个巨大突破。”

Jalan和Prakash表示，通过新的合成工艺来生产这种材料，他们能控制材料的厚度，成分和缺陷的浓度，这是前所未有的进步。这种工艺还具有重复性和伸展性。对含氧化性差的元素的其他材料制备体系，这种新的合成手段也非常适用。

他们接着补充道，改进缺陷浓度能优化该材料的结构，这使他们发现了它的高导电性。他们说，下一步将继续减少原子尺度上的缺陷。

Jalan说，“尽管同类材料中，这种材料的导电率最高，但是若是能探明材料在缺陷浓度改变后的变化机理，这种材料还会有巨大的提升空间。而接下来我们就打算做这件事。”