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日经:美日垄断第三代半导体碳化硅专利
信息来源:电子时代 发布日期:2021-10-12 阅读次数:489
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第三代半导体碳化硅(SiC)的专利竞争激烈,根据《日本经济新闻》报导,相关专利数量最多的前五名都是来自美国、日本的大企业。其中第一名是美国Cree,接下来是日本Rohm、住友电工、三菱电机和 Denso。
日本经济新闻在7日报导中提到,根据从事专利分析的日本Patent Result所整理出的数据,在与第三代半导体碳化硅有关的专利方面,美国Cree所持有的专利数量最多,二到四名则全部被日本企业包办。
Patent Result 的计算方式是基于2021年7月29日为止的美国已发行专利数量,再把数量及瞩目程度转换成分数来算出得分。
碳化硅可取代以往半导体材料的硅利光(Silicone),特别是在功率半导体等用途上,可提升性能、也有利节能。目前碳化硅已普遍使用在电动车和太阳光电系统的变频器上头,用途也愈来愈广。 还有在脱碳潮流的发展之下,碳化硅的应用也备受瞩目。
按照Patent Result的分析,第一名Cree的强项是在碳化硅基板和磊晶领域,第二名和第五名的Rohm和Denso的专长是在电力损失的降低方面,第三名的住友电工擅长于碳化硅的结晶结构,第四名的三菱电机则在半导体装置的构造方面拥有强项。