意法半导体(ST)推出采用先进PowerFLATTM5x6双面散热(Dual-SideCooling,DSC)封装的MOSFET晶体管(STLD200N4F6AG/STLD125N4F6AG)，新品可提升汽车系统电控单元(ElectronicControlUnit,ECU)的功率密度，已被汽车零配件大厂电装株式会社(Denso)所选用，该公司提供全球所有主要车厂先进的汽车技术。
　　
　　此两款为40V功率晶体管，可用于汽车马达控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLAT5x6DSC封装，保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极显露于在外部，以进一步提升散热效率。该设计让内部芯片有更高的额定输出电流，并提升功率密度，让设计人员能够研发更小的电控组件，而无须在功能、性能和可靠性之间做出取舍。
　　
　　该两款晶体管最大吸极电流(DrainCurrent)为120A，而最大导通电阻则分别是1.5m?和3.0m?，其确保高效、简化系统热管理。此外，总栅电荷分别为172nC和91nC，组件本身电容极低，这有助于在高速开关时提升效能。
　　
　　此两款40VMOSFET组件，采用意法的STripFETF6技术和沟槽式闸极结构，额定电流和电压范围宽广，适用于汽车产品。新款MOSFET可用在极其恶劣的工作环境，包括最高175°C的发动机舱。这些产品100%经过雪崩额定值测试，其封装的可润湿侧翼引线可实现最佳焊接效果，并完全支持自动光学检查。